韩媒：中国开始量产自主DUV光刻机：半导体设备自立提速

作者：金仁京(音)       来源：中央日报（韩国）

"中国制造"正在向半导体生产设备领域渗透。中国开始自主研制因美国管控而难以获取的光刻机，加速推进"半导体自力更生"，这已成为影响韩国国内业界的长期变量。

荷兰ASML的极紫外(EUV)光刻机因美国监管而对中国出口受到限制。【照片来源：ASML】

28日(当地时间)，路透社报道称，中国国营企业"上海爱晟纳电子技术集团"已开始生产自主研发的浸入式(immersion)深紫外(DUV)光刻机，目标是今年出货5台，2027年扩大至生产20台。设备计划供应中国代工企业中芯国际(SMIC)、华虹宏力半导体以及DRAM企业长鑫存储(CXMT)等。据悉，这家成立于2023年的企业是将中国主要光刻机企业的研发团队整合后组建而成。

- "没有牙齿就用牙床"中国自主研制半导体设备

光刻机是向半导体晶圆照射光线、刻印精细电路的核心设备，电路越精密，半导体性能越高、功耗越低。根据所用光源，分为深紫外线(DUV)和极紫外线(EUV)设备，其中浸入式DUV在镜头与晶圆之间注水，可实现比普通DUV更精细的电路，不仅用于通用DRAM和NAND闪存，还用于7纳米级半导体的生产。高带宽内存(HBM)等先进内存则使用精度更高的EUV工艺。

EUV设备实际上由荷兰ASML垄断全球市场。中国自2019年起因美国出口管制无法引进EUV，便借助浸入式DUV等设备生产先进半导体。对此，美国国会进一步推进了连DUV设备的销售和维护维修也予以封堵的方案，这正是中国加快自主光刻机研发的背景。

- 短期影响有限：需着眼3至5年后做好应对

市场对此反应敏感。当天ASML股价盘中跌幅超过7%，美国半导体设备股也普遍走弱。韩国国内半导体股除英伟达引发的AI投资放缓担忧外又叠加中国DUV量产消息，急剧下跌。Kiwoom证券研究员韩志英(音)表示，"中国内存企业扩产的可能性，加剧了对全球内存市场竞争激化的担忧"。

韩国国内半导体业界认为，市场的担忧略有超前。后来者的技术积累固然构成威胁，但中国产DUV的性能和良率尚未经过验证，目前判断实际竞争力为时尚早。一位韩国国内半导体企业相关人士表示，"技术能力的确立本身，从领先企业的角度来看，毫无疑问是一种威胁"。另一位相关人士表示，"关键基准在于中国产DUV是否具备向海外半导体企业销售的竞争力"，"尤其对于先进半导体而言，比DUV更重要的变量是中国能否自主研发EUV"。

不过，有观点指出，需要对长期竞争格局的变化未雨绸缪。浦项工科大学半导体工程学专业教授李炳勋(音)表示，"这不是明年或后年就会影响韩国国内企业业绩的问题"，但同时指出，"若中国产DUV站稳脚跟，可扩大DDR4等通用DRAM和NAND的生产能力，有必要着眼3至5年后做好应对"。《中国半导体崛起》一书的作者、成均馆大学化学工程学专业教授权锡俊(音)表示，"中国在2030年前提高通用半导体自立度是可行的"，"即便在HBM领域保持优势，若通用产品的利润空间遭受侵蚀，压力也会随之加大"。

作者：金仁京(音)       来源：中央日报（韩国）